当前位置:首页 > 资讯中心
第三季DRAM产值120亿美元、成长11%
点击:12987来源: fbe-china.com作者:Kenny Fu
时间:2019-11-13 20:05:25

TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新研究报告显示, 2014年第三季三大DRAM厂积极调配旗下产能,以因应苹果(Apple) iPhone 新机庞大行动式记忆体的需求,在排挤效应下,标准型记忆体产出减少,带动第三季合约价格持续上涨,供货吃紧下标准型记忆体蝉联毛利最高的DRAM产品。 DRAMeXchange表示,2014年第三季DRAM产值达120亿美元,较上季成长11%,单季营收再度创下新高。

在各DRAM厂产品比重调配得宜与先进制程产出增加下,其获利能力皆进一步提升,其中又以三星(Samsung)表现最佳,营业获利达42%;SK海力士(Hynix)紧追在后,获利率达40%。美光集团(Micron)由于生产主轴仍以30nm制程为主,毛利率约24.1%,为三大DRAM厂最低。

在DRAM产业寡占结构下,市场仍将为维持稳定获利的格局走势,DRAMeXchange预估2014年DRAM产值可望来到471亿美元;而2015年虽然平均销售单价将逐季往下,但在位元产出仍持续增加的拉抬下,DRAM整体产值将持续攀升。

DRAM厂商技术分析

三星在25nm良率上在第三季已经来到85%左右,加上经济规模不断提升下,营收季成长18.4%。而先进制程让成本持续下降,第三季营业利益来到42%,为三大DRAM厂中最高。

SK海力士的25nm制程良率在第三季已有突破性的发展,投片也积极转为25nm制程。由于转换初期产能的耗损势必影响总产出量,营收成长仅有7%,但第四季开始产出量将有大规格的增加,将带动营收显着提升。

美光集团生产重点着重于行动式记忆体与伺服器用记忆体二大产品,因此营收方面没有韩系厂商亮眼,成长仅约4.7%。目前制程仍以30nm与25nm为主,20nm制程预定年底开始投片试产,预期在明年上半年可以有稳定的投片量,到年末可以有80K左右20nm制程的投片,缩短与韩系厂商的竞争距离。

华亚科虽已成为美光集团旗下的公司,由于与美光议价结构的关系,让华亚科蝉联DRAM厂中获利最佳的厂商,营业利益达到51.9%,但较上季小幅下滑。日前宣布明年资本支出高达500亿台币,目的在于设备尽量与广岛厂相同,务求后续20nm制程可以转进顺利。

南科目前以生产利基型记忆体为主轴,标准型记忆体与行动式记忆体与特定厂商合作持续生产当中,第三季获利表现强劲,营收成长10.2%,整体营业利益稳定来到41.6%。

华邦在利基型记忆体与小容量行动式记忆体销售持续成长,整体营收较上季成长5.7%,今年投片已提升近40K外,明年将朝向44K迈进,第三季营业利益提升至12.2%。

力晶在第三季DRAM营收较上季小幅衰退5%,主要是代工业务价格下滑影响,P3厂将于明年扩大其投片量,对于产出提升与获利都有贡献。

> 相关阅读:
> 评论留言:
联系地址:北京丰台区广安路9号国投财富广场4号楼3A19
企业邮箱:tiger.lin@fbe-china.com
©2019 版权所有©北京中福必易网络科技有限公司 
热线电话:+(86)010 63308519