2011年4月25日， 上海 ―― 全球闪存卡的领导者SanDisk Corporation (NASDAQ：SNDK) 近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2-bits-per-cell (X2) 技术的64-gigabit (Gb) 单块芯片。此项技术将令SanDisk制造出适用于手机、平板电脑和其他设备的高性能、小尺寸嵌入式和可移动存储设备。 SanDisk将于本季度推出19纳米64Gb X2芯片的样片，并预计于2011年下半年开始量产。届时，SanDisk还将在其产品系列中添加一款基于19纳米工艺技术制造的3-bits-per-cell (X3) 产品。 SanDisk执行副总裁兼首席技术官Yoram Cedar表示：通过与制造伙伴东芝 (Toshiba) 的持续合作，我们非常高兴能够推出基于行业领先的19纳米工艺技术的全球最小、成本最低的NAND闪存芯片。基于该项技术的产品将帮助实现新的应用、尺寸和消费者体验，正是这些应用将闪存行业的发展推上了新的台阶。 19纳米存储芯片采用了包括先进的工艺创新和单元设计解决方案在内的、时下最先进的闪存技术制造工艺。SanDisk的All-Bit-Line (ABL) 架构拥有专用的程序设计算法和多层式数据储存管理方案，从而在制造多层单元 (MLC) NAND闪存芯片时不会影响其性能或可靠性。  关于闪迪 闪迪（SanDisk）公司是全球闪存卡业务的领导者，从研究、制造和产品设计，到消费品牌和零售网络等。闪迪公司的产品组合包括用于移动电话、数码相机和摄像机的闪存卡，数码影音播放器，供消费者及企业使用的USB闪存驱动器，用于移动设备的内置式存储，以及用于计算机的固态硬盘。闪迪公司是硅谷一家标准普尔500指数成分股公司，其一半以上的营业额来自美国以外市场。 闪迪公司网址/主页地址：http://www.sandisk.com  此新闻稿中包含前瞻性声明，其中包括对新技术的推出、应用、特性、市场以及客户的预期，并含有许多风险和不确定因素，它们可能导致这些前瞻性声明不准确，其中包括：本公司可能利用19nm技术进行大批量生产，或者可能及时推出基于19nm技术的产品；市场对本公司产品需求的增长速度可能低于本公司的预期，或者这些产品在本公司新的目标市场中的采用速度可能较慢；这些产品的性能可能低于预期；这些产品供货时的价格、地区和容量可能与预期不符；以及在本公司提交给美国证券交易委员会的文件和报告（包括但不限于本公司10-K年报）中详述的其它风险。本公司无意更新本新闻稿所含信息。