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东芝与海力士将联合研发下一代内存芯片
点击:8992来源: fbe-china.com作者:Kenny Fu
时间:2019-11-02 21:04:11

据国外媒体报道,东芝13日宣布,已与韩国芯片巨头海力士就共同研发下一代内存芯片达成协议。双方数十名技术人员将在位于韩国的海力士基地进行研发,此举旨在加快研发速度的同时控制成本。双方共同研发的是耗电低、读取快的磁阻式随机存取存储器,将主要用于智能手机、平板电脑等产品。东芝希望从2014年起正式用到产品中。

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